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R6009JNXC7G

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

비준수

R6009JNXC7G 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $3.55000 $3.55
500 $3.5145 $1757.25
1000 $3.479 $3479
1500 $3.4435 $5165.25
2000 $3.408 $6816
2500 $3.3725 $8431.25
1913 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 15V
rds on (max) @ id, vgs 585mOhm @ 4.5A, 15V
vgs(th) (최대) @ id 7V @ 1.38mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 22 nC @ 15 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 645 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 53W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220FM
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack
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