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R6012JNJGTL

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 12A LPTS

비준수

R6012JNJGTL 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $3.62000 $3.62
500 $3.5838 $1791.9
1000 $3.5476 $3547.6
1500 $3.5114 $5267.1
2000 $3.4752 $6950.4
2500 $3.439 $8597.5
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 12A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 15V
rds on (max) @ id, vgs 390mOhm @ 6A, 15V
vgs(th) (최대) @ id 7V @ 2.5mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 28 nC @ 15 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 900 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 160W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 LPTS
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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