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R6530ENZ4C13

R6530ENZ4C13

R6530ENZ4C13

Rohm Semiconductor

650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER

SOT-23

비준수

R6530ENZ4C13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $7.18000 $7.18
500 $7.1082 $3554.1
1000 $7.0364 $7036.4
1500 $6.9646 $10446.9
2000 $6.8928 $13785.6
2500 $6.821 $17052.5
486 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 30A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 140mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 960µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2100 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 305W (Tc)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-247G
패키지 / 케이스 TO-247-3
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