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RCD080N25TL

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 250V 8A CPT3

비준수

RCD080N25TL 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.67200 -
408 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 250 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 8A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 300mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1440 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 850mW (Ta), 20W (Tc)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 CPT3
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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