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RD3G600GNTL

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 40V 60A TO252

비준수

RD3G600GNTL 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $2.01000 $2.01
500 $1.9899 $994.95
1000 $1.9698 $1969.8
1500 $1.9497 $2924.55
2000 $1.9296 $3859.2
2500 $1.9095 $4773.75
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 60A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 3.6mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 46.5 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 3400 pF @ 20 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 40W (Ta)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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