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RGT8NS65DGC9

RGT8NS65DGC9

RGT8NS65DGC9

Rohm Semiconductor

IGBT

비준수

RGT8NS65DGC9 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $2.21000 $2.21
500 $2.1879 $1093.95
1000 $2.1658 $2165.8
1500 $2.1437 $3215.55
2000 $2.1216 $4243.2
2500 $2.0995 $5248.75
990 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
igbt 유형 Trench Field Stop
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 650 V
전류-수집기(ic) (최대) 8 A
전류-수집기 펄스(icm) 12 A
vce(on) (최대) @ vge, ic 2.1V @ 15V, 4A
전력 - 최대 65 W
에너지 전환 -
입력 유형 Standard
게이트 요금 13.5 nC
td (켜짐/꺼짐) @ 25°c 17ns/69ns
테스트 조건 400V, 4A, 50Ohm, 15V
역방향 회복 시간(trr) 40 ns
작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급업체 장치 패키지 TO-262
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