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RGT8NS65DGTL

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Rohm Semiconductor

IGBT 650V 8A 65W TO-263S

비준수

RGT8NS65DGTL 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1,000 $0.53400 -
2,000 $0.49840 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Not For New Designs
igbt 유형 Trench Field Stop
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 650 V
전류-수집기(ic) (최대) 8 A
전류-수집기 펄스(icm) 12 A
vce(on) (최대) @ vge, ic 2.1V @ 15V, 4A
전력 - 최대 65 W
에너지 전환 -
입력 유형 Standard
게이트 요금 13.5 nC
td (켜짐/꺼짐) @ 25°c 17ns/69ns
테스트 조건 400V, 4A, 50Ohm, 15V
역방향 회복 시간(trr) 40 ns
작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급업체 장치 패키지 LPDS
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