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RJP020N06T100

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 2A MPT3

비준수

RJP020N06T100 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1,000 $0.36320 -
2,000 $0.32915 -
5,000 $0.31780 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 240mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 10 nC @ 4 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 160 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 500mW (Ta)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 MPT3
패키지 / 케이스 TO-243AA
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