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RQ3G100GNTB

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT

비준수

RQ3G100GNTB 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.15810 -
14 items
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 10A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 14.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 8.4 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 615 pF @ 20 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2W (Ta)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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