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RQ3L090GNTB

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT

compliant

RQ3L090GNTB 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.55000 $1.55
500 $1.5345 $767.25
1000 $1.519 $1519
1500 $1.5035 $2255.25
2000 $1.488 $2976
2500 $1.4725 $3681.25
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9A (Ta), 30A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 13.9mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.7V @ 300µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 24.5 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1260 pF @ 30 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2W (Ta)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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