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RS1E200GNTB

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

비준수

RS1E200GNTB 가격 및 주문

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2,500 $0.27115 -
5,000 $0.26180 -
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 20A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 16.8 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1080 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3W (Ta), 25.1W (Tc)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-HSOP
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
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