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RS6P100BHTB1

RS6P100BHTB1

RS6P100BHTB1

Rohm Semiconductor

NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF

compliant

RS6P100BHTB1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $3.37000 $3.37
500 $3.3363 $1668.15
1000 $3.3026 $3302.6
1500 $3.2689 $4903.35
2000 $3.2352 $6470.4
2500 $3.2015 $8003.75
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 100A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 5.9mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2880 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 104W (Tc)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-HSOP
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
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