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RS6R060BHTB1

RS6R060BHTB1

RS6R060BHTB1

Rohm Semiconductor

NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

compliant

RS6R060BHTB1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $3.48000 $3.48
500 $3.4452 $1722.6
1000 $3.4104 $3410.4
1500 $3.3756 $5063.4
2000 $3.3408 $6681.6
2500 $3.306 $8265
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 150 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 60A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 21.8mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2750 pF @ 75 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 104W (Tc)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-HSOP
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
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