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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Obsolete |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 드레인-소스 전압(vdss) | 650 V |
| 현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 29A (Tc) |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) | 18V |
| rds on (max) @ id, vgs | 156mOhm @ 10A, 18V |
| vgs(th) (최대) @ id | 4V @ 3.3mA |
| 게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | 61 nC @ 18 V |
| vgs(최대) | +22V, -6V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 1200 pF @ 500 V |
| FET 기능 | - |
| 전력 소모(최대) | 165W (Tc) |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급업체 장치 패키지 | TO-220AB |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
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