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SP8M9FU6TB

SP8M9FU6TB

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Rohm Semiconductor

MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

비준수

SP8M9FU6TB 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9A, 5A
rds on (max) @ id, vgs 18mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 21nC @ 5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1190pF @ 10V
전력 - 최대 2W
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SOP
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