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US5U2TR

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5

US5U2TR 데이터 시트

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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1.4A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 240mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 2 nC @ 5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 70 pF @ 10 V
FET 기능 Schottky Diode (Isolated)
전력 소모(최대) 1W (Ta)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TUMT5
패키지 / 케이스 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
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