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US6M2GTR

US6M2GTR

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Rohm Semiconductor

2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN

US6M2GTR 데이터 시트

비준수

US6M2GTR 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.22940 -
6,000 $0.21460 -
15,000 $0.20720 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 30V, 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1.5A, 1A
rds on (max) @ id, vgs 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 80pF @ 10V, 150pF @ 10V
전력 - 최대 1W
작동 온도 150°C
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads
공급업체 장치 패키지 TUMT6
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