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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Active |
| FET 유형 | 4 N-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압(vdss) | 200V |
| 현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 10A |
| rds on (max) @ id, vgs | 175mOhm @ 5A, 10V |
| vgs(th) (최대) @ id | 4V @ 1mA |
| 게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | - |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 850pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 5W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 12-SIP Exposed Tab |
| 공급업체 장치 패키지 | 12-SIP |
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