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STB18N60M2

STB18N60M2

STB18N60M2

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

compliant

STB18N60M2 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1,000 $1.58865 -
2 items
Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 13A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 280mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 21.5 nC @ 10 V
vgs(최대) ±25V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 791 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 110W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 D2PAK
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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