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STP33N65M2

STP33N65M2

STP33N65M2

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 650V 24A TO220

compliant

STP33N65M2 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $3.82000 $3.82
50 $3.11280 $155.64
100 $2.85570 $285.57
500 $2.35468 $1177.34
1,000 $2.02064 -
2,500 $1.93070 -
5,000 $1.86646 -
420 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 24A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 140mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 41.5 nC @ 10 V
vgs(최대) ±25V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1790 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 190W (Tc)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220
패키지 / 케이스 TO-220-3
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