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BSS123W

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100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO

BSS123W 데이터 시트

비준수

BSS123W 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.11302 -
6,000 $0.10702 -
15,000 $0.09801 -
30,000 $0.09200 -
75,000 $0.08299 -
3065 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 160mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 5Ohm @ 160mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 2 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 30 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 298mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-323
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
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