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TSM650N15CR RLG

TSM650N15CR RLG

TSM650N15CR RLG

MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN

compliant

TSM650N15CR RLG 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.50400 -
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Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 150 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 24A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 65mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1829 pF @ 75 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 96W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
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