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TSM900N10CH X0G

TSM900N10CH X0G

TSM900N10CH X0G

MOSFET N-CH 100V 15A TO251

비준수

TSM900N10CH X0G 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.70000 $0.7
10 $0.59000 $5.9
100 $0.44280 $44.28
500 $0.32472 $162.36
1,875 $0.25092 -
3,750 $0.22878 -
5,625 $0.21402 -
3556 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 15A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 90mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 9.3 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1480 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 50W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-251 (IPAK)
패키지 / 케이스 TO-251-3 Stub Leads, IPak
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