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XP161A1355PR-G

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MOSFET N-CH 20V 4A SOT89

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XP161A1355PR-G 가격 및 주문

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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 50mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id -
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 390 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2W (Ta)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-89
패키지 / 케이스 TO-243AA
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