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XP231P02013R-G

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MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323-3

compliant

XP231P02013R-G 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.06600 $0.066
500 $0.06534 $32.67
1000 $0.06468 $64.68
1500 $0.06402 $96.03
2000 $0.06336 $126.72
2500 $0.0627 $156.75
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 200mA (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 5Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 34 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 350mW (Ta)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-323-3A
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
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