MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ichome.com에서

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MT3S111P(TE12L,F)

제조업체 부품 번호:MT3S111P(TE12L,F)

제조업체:Toshiba Semiconductor and Storage

설명:RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

데이터 시트:MT3S111P(TE12L,F) 데이터 시트

RoHs 상태:compliant

수량	단가	추가 가격
1,000	$0.38250	-
2,000	$0.35700	-
5,000	$0.33915	-
10,000	$0.32513	-
25,000	$0.31620	-

재고 있음: 674 items

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명세서
데이터 시트

이름	값
제품 상태	Active
트랜지스터 유형	NPN
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대)	6V
주파수 - 전환	8GHz
잡음 지수(db typ @ f)	1.25dB @ 1GHz
얻다	10.5dB
전력 - 최대	1W
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce	200 @ 30mA, 5V
전류-수집기(ic) (최대)	100mA
작동 온도	150°C (TJ)
장착 유형	Surface Mount
패키지 / 케이스	TO-243AA
공급업체 장치 패키지	PW-MINI

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