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Toshiba Semiconductor and Storage

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igbt 유형 -
구성 -
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) -
전류-수집기(ic) (최대) -
전력 - 최대 -
vce(on) (최대) @ vge, ic -
전류-수집기 차단(최대) -
입력 커패시턴스(cies) @ vce -
입력 -
ntc 서미스터 -
작동 온도 -
장착 유형 -
패키지 / 케이스 -
공급업체 장치 패키지 -
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