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TC7SZ00FE,LJ(CT

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TC7SZ00FE,LJ(CT

TC7SZ00FE,LJ(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

IC GATE NAND 1CH 2-INP ESV

TC7SZ00FE,LJ(CT 데이터 시트

compliant

TC7SZ00FE,LJ(CT 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
4,000 $0.06600 -
8,000 $0.05940 -
12,000 $0.05280 -
28,000 $0.04950 -
100,000 $0.04290 -
200,000 $0.04224 -
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Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름 값
제품 상태 Active
논리 유형 NAND Gate
회로의 수 1
입력 개수 2
특징 -
전압 - 공급 1.65V ~ 5.5V
현재 - 정지(최대) 2 µA
현재 - 출력 높음, 낮음 32mA, 32mA
논리 수준 - 낮음 -
논리 수준 - 높음 -
최대 전파 지연 @ v, 최대 cl 3.6ns @ 5V, 50pF
작동 온도 -40°C ~ 85°C
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 ESV
패키지 / 케이스 SOT-553
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