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TPH5900CNH,L1Q

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TPH5900CNH,L1Q

MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP

SOT-23

비준수

TPH5900CNH,L1Q 가격 및 주문

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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 150 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 59mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 200µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 7 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 600 pF @ 75 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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