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TPN2R805PL,L1Q

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MOSFET N-CH 45V 139A/80A 8TSON

비준수

TPN2R805PL,L1Q 가격 및 주문

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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 45 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 139A (Ta), 80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 2.8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.4V @ 300µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 3200 pF @ 22.5 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.67W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도 175°C
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-TSON Advance (3.1x3.1)
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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