1N5229B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ichome.com에서

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1N5229B-TAP

제조업체 부품 번호:1N5229B-TAP

제조업체:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

설명:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35

데이터 시트:1N5229B-TAP 데이터 시트

RoHs 상태:compliant

수량	단가	추가 가격
10,000	$0.03281	-
30,000	$0.03111	-
50,000	$0.02941	-
100,000	$0.02652	-
250,000	$0.02601	-

재고 있음: 19346 items

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명세서
데이터 시트

이름	값
제품 상태	Active
전압 - 제너(nom)(vz)	4.3 V
용인	±5%
전력 - 최대	500 mW
임피던스(최대)(zzt)	22 Ohms
전류 - 역방향 누설 @ vr	5 µA @ 1 V
전압 - 순방향 (vf) (최대) @ if	1.1 V @ 200 mA
작동 온도	175°C
장착 유형	Through Hole
패키지 / 케이스	DO-204AH, DO-35, Axial
공급업체 장치 패키지	DO-35 (DO-204AH)

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