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1N5239C-TAP

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1N5239C-TAP

1N5239C-TAP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35

1N5239C-TAP 데이터 시트

비준수

1N5239C-TAP 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
30,000 $0.02720 -
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이름 값
제품 상태 Active
전압 - 제너(nom)(vz) 9.1 V
용인 ±2%
전력 - 최대 500 mW
임피던스(최대)(zzt) 10 Ohms
전류 - 역방향 누설 @ vr 3 µA @ 7 V
전압 - 순방향 (vf) (최대) @ if 1.1 V @ 200 mA
작동 온도 175°C
장착 유형 Through Hole
패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial
공급업체 장치 패키지 DO-35 (DO-204AH)
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