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BZD17C33P-E3-18

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB

BZD17C33P-E3-18 데이터 시트

비준수

BZD17C33P-E3-18 가격 및 주문

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이름 값
제품 상태 Active
전압 - 제너(nom)(vz) 33 V
용인 -
전력 - 최대 800 mW
임피던스(최대)(zzt) -
전류 - 역방향 누설 @ vr 1 µA @ 24 V
전압 - 순방향 (vf) (최대) @ if 1.2 V @ 200 mA
작동 온도 -55°C ~ 150°C
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 DO-219AB
공급업체 장치 패키지 DO-219AB (SMF)
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