BZD27B33P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ichome.com에서

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BZD27B33P-E3-18

제조업체 부품 번호:BZD27B33P-E3-18

제조업체:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

설명:DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB

케이스 패키지:SOT-23

데이터 시트:BZD27B33P-E3-18 데이터 시트

RoHs 상태:비준수

수량	단가	추가 가격
50,000	$0.08960	-

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명세서
데이터 시트

이름	값
제품 상태	Active
전압 - 제너(nom)(vz)	33 V
용인	-
전력 - 최대	800 mW
임피던스(최대)(zzt)	15 Ohms
전류 - 역방향 누설 @ vr	1 µA @ 24 V
전압 - 순방향 (vf) (최대) @ if	1.2 V @ 200 mA
작동 온도	-65°C ~ 175°C
장착 유형	Surface Mount
패키지 / 케이스	DO-219AB
공급업체 장치 패키지	DO-219AB (SMF)

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