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GBU8K-3E3/51

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GBU8K-3E3/51

GBU8K-3E3/51

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.9A GBU

GBU8K-3E3/51 데이터 시트

비준수

GBU8K-3E3/51 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
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500 $0 $0
1000 $0 $0
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2000 $0 $0
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Bom 비용 다운
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이름 값
제품 상태 Obsolete
다이오드 유형 Single Phase
기술 Standard
전압 - 피크 역방향(최대) 800 V
현재 - 평균 정류(io) 3.9 A
전압 - 순방향 (vf) (최대) @ if 1 V @ 8 A
전류 - 역방향 누설 @ vr 5 µA @ 800 V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
패키지 / 케이스 4-SIP, GBU
공급업체 장치 패키지 GBU
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