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VS-ETF150Y65N

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VS-ETF150Y65N

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

IGBT MOD 650V 201A 600W

VS-ETF150Y65N 데이터 시트

비준수

VS-ETF150Y65N 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $71.99000 $71.99
10 $68.38900 $683.89
25 $66.58880 $1664.72
100 $61.63970 $6163.97
8 items
위시리스트에 추가
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름 값
제품 상태 Obsolete
igbt 유형 NPT
구성 Half Bridge Inverter
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 650 V
전류-수집기(ic) (최대) 201 A
전력 - 최대 600 W
vce(on) (최대) @ vge, ic 2.17V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단(최대) -
입력 커패시턴스(cies) @ vce -
입력 Standard
ntc 서미스터 Yes
작동 온도 175°C (TJ)
장착 유형 -
패키지 / 케이스 Module
공급업체 장치 패키지 Module
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