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2N6661-E3

2N6661-E3

2N6661-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

compliant

2N6661-E3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 90 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 860mA (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 50 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-39
패키지 / 케이스 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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