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IRFBE30SPBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

비준수

IRFBE30SPBF 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $3.35000 $3.35
500 $3.3165 $1658.25
1000 $3.283 $3283
1500 $3.2495 $4874.25
2000 $3.216 $6432
2500 $3.1825 $7956.25
1 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 800 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4.1A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1300 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 125W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 D²PAK (TO-263)
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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