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IRFD220PBF

IRFD220PBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP

compliant

IRFD220PBF 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.23000 $1.23
10 $1.08700 $10.87
100 $0.85940 $85.94
500 $0.66650 $333.25
1,000 $0.52619 -
2,500 $0.49111 -
5,000 $0.46655 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 200 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 800mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 800mOhm @ 480mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 260 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 4-HVMDIP
패키지 / 케이스 4-DIP (0.300", 7.62mm)
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