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IRLI640GPBF

IRLI640GPBF

IRLI640GPBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3

compliant

IRLI640GPBF 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $3.63000 $3.63
50 $2.94400 $147.2
100 $2.69240 $269.24
500 $2.20200 $1101
1,000 $1.87501 -
2,500 $1.78698 -
5,000 $1.72410 -
2922 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 200 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9.9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4V, 5V
rds on (max) @ id, vgs 180mOhm @ 5.9A, 5V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs(최대) ±10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1800 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 40W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220-3
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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