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SI1026X-T1-E3

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SI1026X-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F

비준수

SI1026X-T1-E3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 60V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 305mA
rds on (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 30pF @ 25V
전력 - 최대 250mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666
공급업체 장치 패키지 SC-89 (SOT-563F)
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