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SI1965DH-T1-E3

SI1965DH-T1-E3

SI1965DH-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

비준수

SI1965DH-T1-E3 가격 및 주문

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3,000 $0.19855 -
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 P-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 12V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1.3A
rds on (max) @ id, vgs 390mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 4.2nC @ 8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 120pF @ 6V
전력 - 최대 1.25W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지 SC-70-6
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