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SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

compliant

SI2302CDS-T1-E3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.11086 -
6,000 $0.10500 -
15,000 $0.09621 -
30,000 $0.09034 -
75,000 $0.08155 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2.6A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 850mV @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 5.5 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
FET 기능 -
전력 소모(최대) 710mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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