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SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

compliant

SI2306BDS-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.23465 -
6,000 $0.22035 -
15,000 $0.20605 -
30,000 $0.19604 -
27 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 3.16A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 47mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 4.5 nC @ 5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 305 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 750mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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