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SI2312CDS-T1-BE3

SI2312CDS-T1-BE3

SI2312CDS-T1-BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

SOT-23

비준수

SI2312CDS-T1-BE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.41000 $0.41
500 $0.4059 $202.95
1000 $0.4018 $401.8
1500 $0.3977 $596.55
2000 $0.3936 $787.2
2500 $0.3895 $973.75
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 5A (Ta), 6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 865 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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