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SI2318DS-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3

비준수

SI2318DS-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.20758 -
6,000 $0.19493 -
15,000 $0.18228 -
30,000 $0.17342 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 45mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 540 pF @ 20 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 750mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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