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SI2333DS-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

비준수

SI2333DS-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.41000 -
6,000 $0.39075 -
15,000 $0.37700 -
0 items
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 12 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4.1A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 18 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1100 pF @ 6 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 750mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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