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SI2335DS-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

비준수

SI2335DS-T1-E3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 12 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 3.2A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 51mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 450mV @ 250µA (Min)
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1225 pF @ 6 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 750mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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