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SI2387DS-T1-GE3

SI2387DS-T1-GE3

SI2387DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1

SOT-23

비준수

SI2387DS-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 80 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2.1A (Ta), 3A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 164mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 10.2 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 395 pF @ 40 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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