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SI3460DDV-T1-BE3

SI3460DDV-T1-BE3

SI3460DDV-T1-BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

compliant

SI3460DDV-T1-BE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.46000 $0.46
500 $0.4554 $227.7
1000 $0.4508 $450.8
1500 $0.4462 $669.3
2000 $0.4416 $883.2
2500 $0.437 $1092.5
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6.2A (Ta), 7.9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 18 nC @ 8 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 666 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 6-TSOP
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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